Search Results (All Fields:"características", Author:"Carlos de Mora Buendía")

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Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 731 118
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 617 121
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 502 88
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 494 96
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 467 93
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 581 106
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 533 108
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 798 186
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 451 98
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 484 93
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 499 100
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 377 79
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 597 114
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 399 83
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 363 93
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 366 87
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 372 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 374 85
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 376 86
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 386 90
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 611 105
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 469 93
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 463 88
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 730 123
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 357 99
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 378 81
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 694 156
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.38 489 101